中来自国光刻机和荷兰光刻机差距

中来自国光刻机和荷兰光刻机差距

中国的光刻技术和荷兰ASML的EUV光衡境运固当刻技术，关键点的区别在于采用紫外光源的不同和光源能量控制。

1、紫外光源的不同

中国光刻技术采用193nm深紫外光源，荷兰ASML的EUV采用13.5nm极紫外光源。光刻是制程芯片最关键技术，制程芯片过程几乎离不开光刻技术。但光刻技术的核心是光源，光源的波长决定了光刻技术的工艺能力。

我国光刻技术采用19足蒸序知外送赵雨可3nm波长的深紫外光p力将数协源，即将准分子深紫外光源的波长缩小到ArF的193nm。它可实现最高工艺节点65nm，如采用浸入式技术可将光源水弦良缩小至134nm。为提高分辨率采取NA相移掩模技术还可推进到28nm。

到了28nm以后，由于单次曝光的图形间距无法进一步提升，所以广泛使用烟括斤机亮批婷理他多次曝光和刻蚀的方法来求得更致密的电子线路图形。

荷兰ASML的EUV光刻技术，采用是美国研发提供的13.5nm极微措敌吗空欢紫外光源为工作波长的投影光刻技术。是用准分子激光照射在锡等靶材上激发出13.5nm光子作为光刻技术的光源。

极紫外光源是传统光刻技术向更短波长的合理延伸，被行业赋予了拯救摩某尼得吸尔定律的使命。

当今的ASML的EUV光刻技术，已能用

13.5nm极紫外光制程7nm甚至5nm以下芯片。而我国还是采用193nm深紫外源光刻技术，如上海微电子28nm工艺即是如此。虽然我们采用DUV光刻技术通过多重曝光爱不西啊始该听和刻蚀方法提升制程工艺肉烟进事，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以光源的不同导致光刻技术的重大区别。

2、光源能量控制不同

在光刻技术的群伟根模拉出画满乙玉器光源能量精准控制上，我国光刻技术与荷兰的EUV也有重大区别。光刻技术的光学系统极其复杂，要减小误差达到高精度要求，光源达飞的计量和控制非常重要。它可通过透镜曝光的补偿参数决定光刻的分辨率凯品爱座值和套刻精度。

光刻技术的分辨率代表能清晰投影最小图像的能力，和光源波长有着密切关系。在光源波长不变情况下，NA数值孔径大小直接决定光刻技术的分辨率和工艺节点。我国在精密加工透镜技术上无法与ASML先例殖两技备置往见践用的德国蔡司镜头相比，所以光刻技术分辨率难以大幅提高。

套刻精度是光刻技术非常重要的技术谁张指标，是指前后两道工序、不同镜头之间彼此图形对准精度。如果对准偏差、图形就产生误差，产品良率就小。

所以需不断调整透镜曝光补偿参数和光源计量进行控制，达到满意的光刻效果。我国除缺少精密加工透镜的技术外，在光源控制、透镜曝光参数调整上也是缺乏相关技术的。